技术编号:11061881
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种反应腔室及半导体加工设备。背景技术在集成电路的制造过程中,通常采用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,以下简称PVD)技术进行在晶片上沉积金属层等材料的沉积工艺。随着硅通孔(ThroughSiliconVia,以下简称TSV)技术的广泛应用,PVD技术主要被应用于在硅通孔内沉积阻挡层和铜籽晶层。目前,PVD技术主要采用静电卡盘固定晶片,但是在进行硅通孔的沉积工艺时,由于沉积在硅通孔中的薄膜厚度较大,薄膜应力较大,导致静电卡盘无法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。