技术编号：11061886
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种加热掺杂气体的喷淋结构，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。背景技术半导体镀膜设备在进行硬质膜沉积反应时，需要少量掺杂一种气体或多种气体同时进入腔室进行薄膜沉积，要求几种气体路径相互独立，在进入腔体前不能相遇，进入腔室后都能均匀扩散到基底表面。且掺杂的气体在进入反应腔体前，需要保持加热到一定的温度。而现有的喷淋结构大都是针对单独的气体设计的路径，并且大多结构都只是在气体进口处进行分离，在进入腔室之前的气体已进行接触，使沉积反应提前进行。且现有喷淋结构没有针对掺杂气体进行加热的功能...
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