技术编号：11064132
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。页缓冲器和包括页缓冲器的半导体存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2015年10月27日提交的申请号为10-2015-0149473的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。技术领域本发明的各种实施例涉及电子器件，并且更具体而言，涉及一种页缓冲器和包括所述页缓冲器的存储器件。背景技术半导体存储器件通常被分成易失性和非易失性存储器件。非易失性存储器件具有相对低的写入和读取速度，但是即使它们的电源被关断或者中断也能保持储存的数据。非易失性存储器件的示例包括：只读存储器(ROM)、掩膜ROM...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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