技术编号:11064133
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。内部电压发生电路相关申请的交叉引用本申请要求2015年10月26日提交的申请号为10-2015-0148454的韩国专利申请的优先权,通过引用整体合并于此。技术领域本公开的实施例总体而言涉及一种内部电压发生电路、以及包括所述内部电压发生电路的半导体存储器件和系统。背景技术通常,半导体存储器件从外部器件接收外部电压(例如,电源电压VDD)和接地电压VSS,以产生构成半导体存储器件的内部电路的操作中所使用的内部电压。用于操作半导体存储器件的内部电路的内部电压可以包括:核心电压VCORE、高电压VPP...
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