技术编号:11064214
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种上电极组件及反应腔室。背景技术目前,等离子体加工设备越来越广泛地应用于集成电路(IC)、功率器件、MEMS器件等的制造工艺中。其中一个显著的应用就是电感耦合等离子体(InductiveCoupledPlasma,简称ICP)设备,其由电流通过射频线圈产生的电磁场激发反应气体产生等离子体。随着高刻蚀速率的需求不断增高,要求等离子体的密度也随之增大,为此,采用立体线圈环绕在陶瓷桶外侧已成必然。然而,在进行工艺的过程中,加载有高功率的立体线圈的温度可达460℃...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。