技术编号:11064227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,具体涉及一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法。背景技术碳化硅的宽禁带和高临界击穿场强等特性使其在功率器件方面得到广泛应用。目前基于碳化硅的电力电子器件技术已经取得了一系列技术突破,越来越彰显出其在电网、轨道交通、混合动力汽车和军事等上的广阔应用前景。高压碳化硅电力电子器件是电力电子器件的研究热点之一。高压碳化硅开关器件制备过程中的高温氧化工艺是决定器件性能的核心工艺之一,其对高压碳化硅电力电子器件的耐压能力、通流能力、长期可靠性以及损耗性能等都有重要影响。SiC材料相...
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