技术编号:11064231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,具体地,本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。背景技术随着便携式电子设备的高速发展(比如移动电话、数码相机、MP3播放器以及PDA等),对于数据存储的要求越来越高。非易失闪存由于具有断电情况下仍能保存数据的特点,成为这些设备中最主要的存储部件,其中,由于闪存(flashmemory)可以达到很高的芯片存储密度,而且没有引入新的材料,制造工艺兼容,因此,可以更容易更可靠的集成到拥有数字和模拟电路中。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术,NOR闪存(F...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。