技术编号：11064258
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种压环装置。背景技术目前TSV(ThroughSiliconVia，硅通孔技术)的应用越来越广泛，该技术大大降低了芯片之间的互连延迟，并且是三维集成实现的关键技术。而PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)是TSV中至关重要的一项工艺。PVD在TSV中的应用主要是在硅通孔内部沉积阻挡层和铜籽晶层。物理气相沉积又称磁控溅射，是集成电路制造过程中沉积金属层和相关材料广泛采用的镀膜方法。目前PVD技术主要采用静电卡盘对硅片进行固定，但...
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