技术编号：11064259
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种绝缘体上III-V化合物衬底的制备方法。背景技术硅基上制备高性能的化合物半导体器件一直是研究人员和工业界追求的目标，一方面，该技术可以大大降低化合物器件的成本，另一方面，可以充分利用硅基材料与化合物材料的结合实现多功能器件和电路的融合，如光电一体、高压低压一体、数字微波融合等等。因此，硅基上生长大尺寸化合物半导体材料是未来化合物半导体器件跨越式发展的关键。由于硅衬底与化合物半导体材料之间存在晶格常数失配、热膨胀系数失配以及晶体结构失配。其中，晶格常数失配...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。