技术编号:11064264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工制造领域,尤其涉及一种空气隙/铜互连结构的制造方法。背景技术晶体管随着摩尔定律不断发展,特征线宽越来越小,集成密度越来越高,性能越来越强大。对于互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,简称CMOS)晶体管而言,速度是表征其性能的重要指标。本领域技术人员清楚,CMOS的速度与CMOS的延迟相关,CMOS的延迟可以细分为前道器件的延迟和后道互连线的延迟;并且,随着半导体工艺尺寸减少,后道互连线的CMOS延迟的影响变得越来越大...
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