技术编号:11064307
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属氧化物半导体器件,尤其是一种具有双栅极结构的金属氧化物半导体管器件。背景技术随集成电路集成度的提高,器件尺寸逐步按比例缩小,目前特征尺寸已达到32nm量级。金属氧化物半导体(MOS)是最常见的半导体器件,是构成各种复杂电路的基本单元。MOS晶体管基本结构包括三个主要区域:源极(source)、漏极(drain)和栅电极(gate)。其中源极和漏极是通过高掺杂形成的,根据器件类型不同,可分为n型掺杂(NMOS)和p型掺杂(PMOS)。在器件按比例缩小的过程中,漏极电压并不随之减小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。