技术编号:11064336
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于电阻式随机存取存储器(RRAM)装置,且特别关于RRAM装置的堆叠结构。背景技术电阻式随机存取存储器(RRAM)装置具有功率消耗低、操作电压低、写入抹除时间短、耐久度长、存储时间长、非破坏性读取、多状态存储、元件工艺简单、及可微缩性等优点,所以成为新兴非挥发性存储器的主流。RRAM装置的基本结构为底电极、电阻转态层、及顶电极构成的金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,MIM)叠层结构,且RRAM装置其电阻转换(resistiveswitching,RS)阻值...
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