技术编号:11098070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。外围电路、半导体存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月3日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0153908的韩国专利申请的优先权,该韩国申请的全部公开内容通过引用合并于此。技术领域各种实施例总体涉及一种电子设备,更具体地,涉及一种外围电路、半导体存储器件以及该半导体器件和/或外围电路的操作方法。背景技术半导体存储器件由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(Inp)的半导体材料制成。半导体存储器件被分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性...
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