技术编号:11100437
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ICP装置技术领域,具体涉及一种半导体加工设备。背景技术在感应耦合等离子体刻蚀过程中,法拉第屏蔽装置被用于提高射频耦合的均一性。现有技术中,法拉第屏蔽装置的样式多种多样,在设计法拉第屏蔽装置的样式时主要考虑以下三点:(1)、屏蔽率容易调整,这样有助于寻找最适宜的参数;(2)、法拉第屏蔽装置作为圆柱形陶瓷窗的主要支撑部件及真空密封组件,但是由于陶瓷材料的易脆性,因此,如何有效结合这两项功能显得尤为重要;(3)、法拉第屏蔽装置设置在圆柱形陶瓷窗和线圈组件之间,线圈组件需要经常改变和替换,因...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。