技术编号：11100655
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种在GaN表面生长高K介质的方法，应用于高性能、高功率、高击穿电压的第三代半导体MOS技术。背景技术氮化镓半导体材料相对硅、砷化镓和磷化铟半导体材料而言，被称为第三代半导体材料，它固有的高击穿场强和高场强下具有的高饱和漂移速度等优良特性决定了它将在未来的高频、高温、特大功率器件中居领先地位。GaN材料是一种宽禁带(3.49eV)半导体，它具有电子饱和漂移速度快(2.7×107cm/s)、临界击穿场强高(3.3MV/cm)、二维电子气密度高(15×1...
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