技术编号:11100741
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种基于体硅的SOIFinFET的制作方法技术领域本发明涉及半导体工艺制造领域,尤其涉及一种基于体硅的SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上硅)FinFET(鳍式场效晶体管,FinField-EffectTransistor)的制作方法。背景技术目前,随着对半导体器件关键尺寸的降低以及对半导体器件的低功耗高速度要求的提高,14nm/16nm及以下技术形成了FD-SOI平面器件、体硅FinFET和SOIFinFET三足鼎立的局面。SOIFinFET融合了SOI与FinFET两...
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