技术编号:11100884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计半导体器件工艺领域,特别涉及一种监测注入硅片温度的方法。背景技术在超大规模集成电路制造中,离子注入工艺技术已得到越来越广泛的应用。表面制作有图形器件的硅片在工艺过程中受到大量离子的轰击而受热,从而导致温度逐渐增高;如果这些热量不能被及时带走,将会影响掺杂的电性,甚至导致光刻胶形态发生变化,光刻图形变形。此时再以变形后的光刻图形进行离子注入就会得到参数异常的器件,使半导体工艺失败。与此同时,注入靶盘通过循环冷却水进行降温(图1),从而保证在工艺过程中控制温度在一定范围内,比如不超过100...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。