技术编号:11101120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例总体涉及半导体领域,更具体地,涉及集成电路结构及其形成方法。背景技术随着对半导体制造微型化的需求增大,封装技术已经从二维(2D)发展到三维(3D)晶圆级封装,以进一步改进集成电路器件中的电路的密度和性能。在3D晶圆级封装中,多个晶圆堆叠。通常使用硅通孔(TSV)将晶圆连接至另一晶圆。然而,形成TSV的常规方法会将缺陷引入晶圆,因此需要将其解决。发明内容根据本发明的一个方面,提供了一种形成集成电路结构的方法,所述方法包括:接收衬底,所述衬底具有前侧和背侧,所述前侧包括位于其上的导体;...
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