技术编号：11101156
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种激光分离复合SiC的方法，尤其涉及一种双脉冲频率激光分离复合SiC的方法。背景技术SiC是第三代半导体材料的核心材料之一，与Si、GaAs相比，SiC具有带隙宽、热导率高、电子饱和迁移率大、化学稳定性好等优点，因此被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度的集成电子器件。利用它的宽禁带特点还可以制作蓝光、绿光和紫外光的发光器件和光电探测器件等。SiC还可以形成自然氧化层，这对制作以MOS为基础的器件十分有利。SiC材料以其宽禁带、高击穿临界电场、高饱和速度、高热导率、小介电常数、...
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