技术编号:11101309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺。背景技术共晶焊又称低熔点合金焊接。共晶合金的基本特性是:两种不同的金属可在远低于各自的熔点温度下按一定重量比例形成合金。在微电子器件中最常用的共晶焊是把硅芯片焊到镀金的底座或引线框上去,即“金-硅共晶焊”。目前的金砷共晶工艺,成本较高且有毒。现有的三层低温锡共晶,在保管时容易出现锡层氧化,及后期封装装片时共晶不良、虚焊、残留少、波峰焊时过温使芯片脱落等问题。发明内容本发明的目的是提供一种用于共晶焊的硅片背面金属化结构...
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