技术编号:11101405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及制造领域,特别涉及一种反熔丝结构及其制造方法。背景技术反熔丝通常为三明治结构,由上下电极和中间的绝缘电介质材料组成。作为存储器,在编程之前,反熔丝上下电极处于高阻状态,通常会有几百兆欧以上,代表一种存储状态;在编程时,上下电极之间施加编程电压,在编程之后,中间的电介质材料被击穿,反熔丝上下电极处于低阻状态,通常在几百欧姆以下,则代表另一种存储状态。目前,反熔丝主要是采用平面结构,其实现面积较大,而随着半导体工艺进程的不断推进,平面结构无法实现小面积大容量的要求,已不能满足器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。