技术编号:11101488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及半导体结构。背景技术近来,诸如交换器或整流器的功率电子器件的发展突显了功率器件的制造业。通常地,功率器件由III-V族材料制成。借助于半导体制造业,功率器件能够集成至集成电路中或芯片中。这样,功率器件具有更紧凑的尺寸和多功能性。发明内容本发明的实施例提供了一种半导体结构,包括:第一器件,具有第一表面,所述第一器件包括:由第一材料系统限定的第一有源区域;以及第二器件,具有第二表面,所述第二表面与所述第一表面共平面,所述第二器件包括:由第二材料系统限定的...
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