技术编号：11101696
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微纳能源技术领域，具体地，涉及一种纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置。背景技术基于ZnO纳米线压电效应的压力传感器近年来引起了人们的极大兴趣。利用压电电子效应去控制载流子的产生、传输、分离或者复合，从而改善光电子器件性能。例如，现有技术中的一种基于阵列化ZnO纳米线压电电子学效应的压力传感器可以把分辨率提升至120微米。另一种基于p型氮化镓层外延图案化生长ZnO纳米线发光二极管阵列的压力传感器传感器实现了2.7微米的分辨率，是世界上首次达到微米级超人类皮肤分辨率的应力感应系统，该...
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