技术编号:11101873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元器件结构,尤其是一种IGBT正面结构及制备方法。背景技术IGBT(绝缘栅双极晶体管)是由BJT(双极结型晶体管)和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。与MOSFET相比,IGBT的优势在于具有电导调制效应,即在器件导通时,双极结型结构会从背面P+集电区向N基区注入少数载流子(空穴),对N基区的电导率进行调制,有效地降低N基区的导通电阻,从而降低器件的导通压降和导通损耗,这称为“电导调制效应”。然而N型基区内部的载流子并非均匀...
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