技术编号:11101884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,特别是涉及一种半导体器件耐压结构。背景技术在半导体器件中,若需要在较高电压下工作时,需将一部分电极通过高压互联线与外围的高压母线连接。若高压互联线在半导体器件表面覆盖的区域下方包含有源区,则当高压互联线与高压母线连接后,高压会通过接触孔经过介质层、场氧化层而传递到有源区中,从而可能导致有源区发生击穿最终使得整个半导体器件失效。因此,对于需要在较高电压下工作的半导体器件来说,版图中会设置一片专用于布置上述高压互联线的区域。为防止半导体器件击穿,高压互联线覆盖区域的下方...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。