技术编号：11101915
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种IGBT结构及其背面制造方法。背景技术IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种将MOSFET(金属氧化物场效应管)与BJT(双极型晶体管)相结合的半导体功率器件，具有输入阻抗高、开关损耗小、速度快、电压驱动功率小等特点。IGBT纵向结构主要分为穿通型和非穿通型，其中非穿通型结构的通态压降较大，这主要是由于硅片的厚度较厚。在保证耐压的前提下，要尽量减小硅片的厚度，减小导通压降。这就提高了对减薄后的薄片加工设备的精度要求，无形中加大了加工成本，且容易提高碎片率。发...
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