技术编号:11102002
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子器件技术领域,具体涉及一种横向双扩散晶体管及其漂移区的制造方法。背景技术横向双扩散晶体管(LDMOS)是一种短沟道的横向导电的MOSFET,通过两次扩散制作而成的器件。随着横向双扩散晶体管(LDMOS)在集成电路中的广泛应用,对于LDMOS的性能要求也越来越高。为了获得较高的关断击穿电压(off-BV)和较低的导通阻抗(Rdson),经常会将漂移区(drift)做成线性梯度掺杂。如图1所示,为现有技术的NLDMOS,其线性梯度漂移区是通过Ndrift1和Ndrift2两次光刻和注入...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。