技术编号：11102449
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电探测器技术领域，尤其涉及一种张应变锗MSM光电探测器及其制备方法。背景技术光电探测器是光通信、光互连和光电集成技术中关键的光电器件之一。随着信息技术向超大容量信息传输、超高密度信息存储等方向飞速发展，要求光电探测器具有更快的响应速度和更高的响应度，而金属-半导体-金属(MSM)光电探测器由于具有小的串联电阻和寄生电容(RC时间常数小)以及加工工艺简单而得到广泛应用。室温下，锗(Ge)的直接带隙为0.801eV，锗的截止波长(1.55μm)比硅的(1.1μm)长。另外，锗与硅同属于第...
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