技术编号：11102588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN纳米柱，特别涉及生长在铝酸锶钽镧(La0.3Sr1.7AlTaO6)衬底上的GaN纳米柱及其制备方法与应用。背景技术GaN及III-族氮化物由于宽禁带、稳定的物理化学性质、高的热导率和高的电子饱和速度等优点，广泛应用于发光二极管(LED)、激光器和光电子器件等方面。与其他宽禁带半导体材料相比，GaN材料除具有上述优点外，其纳米级的材料在量子效应、界面效应、体积效应、尺寸效应等方面还表现出更多新颖的特性。GaN纳米材料因“尺寸效应”产生了一系列新颖特性，使得它在基本物理科学和新型技...
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