技术编号：11102762
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及使用溅射法来形成层的方法以及使用其制造磁性存储器件的方法。背景技术高速和/或低功耗的电子装置可通过在其中包括具有高速特性和/或低操作电压的半导体存储器件来提供。因此，已开发了磁性存储器件。磁性存储器件可具有高速和/或非易失性的特性。通常，磁性存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)图案。该磁隧道结图案可包括两个磁性层和设置在所述两个磁性层之间的绝缘层。磁隧道结图案的电阻值可以根据所述两个磁性层的磁化方向来改变。例如，当所述两个磁性层的磁化方向彼此反平行时，磁隧道结图案可以具有相对大的电阻...
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