技术编号：11102781
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器及其制造方法，尤其涉及一种电阻式存储器及其制造方法。背景技术近年来电阻式存储器(诸如电阻式随机存取存储器(ResistiveRandomAccessMemory，RRAM))的发展极为快速，是目前最受瞩目的未来存储器的结构。由于电阻式存储器具备低功耗、高速运作、高密度以及相容于互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)工艺技术的潜在优势，因此非常适合作为下一世代的非挥发性存储器元件。现行的电阻式存储器通常包括相...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。