技术编号:11102916
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示领域,尤其涉及具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管及制备方法。背景技术近年来,量子点发光二极管(QLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点,在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。另外在微电子技术的发展背景下,场效应晶体管(FET)是目前现代微电子学中应用最广泛的器件之一。结合发光器件和FET的技术,可考虑将QLED和FET集成为QLED-FET(QLED场效应晶体管)发光器件,从而充分利用QLED的巨大应用前景。随着小尺寸、被动驱动技术的日渐成熟,大尺寸、主动驱...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。