技术编号:11105917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅的制造技术。更详细而言,涉及能够将多晶硅的结晶粒径、结晶取向性、热扩散率控制于期望的范围的高品质多晶硅的制造技术。背景技术高纯度且高品质的硅基板对于现在的半导体器件等的制造而言是不可欠缺的半导体材料。这种硅基板是以多晶硅作为原料通过CZ法、FZ法来制造,半导体级的多晶硅多数情况下通过西门子法来制造(例如,参见专利文献1(日本特表2004-532786号公报))。西门子法是指如下所述的方法:使三氯硅烷、甲硅烷等硅烷原料气体与加热后的硅芯线接触,由此通过CVD(化学气相沉积,Chem...
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