技术编号：11108462
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及气体传感器技术领域，具体涉及采用过渡金属二硫化钼钨纳米片制备丙酮气体传感器的方法。背景技术二维材料，如石墨烯和类石墨烯材料，由于其独特的性质与超薄的厚度而受到了广泛的关注。在众多类石墨烯二维材料中，层状过渡金属二硫化物(如二硫化钨，二硫化钼)展现出优异的结构、电学、光学、化学及热力学性质，使得它们在电子、催化剂、能源存储及转换以及传感器领域具有巨大的应用前景。研究发现，过渡金属二硫化物的晶体结构、形貌、几何排列、组分等，对器件性能极为重要。例如，对一些电子器件，如气体传感器，通过调整相...
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