技术编号：11110102
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在用于在形成为真空气氛的处理容器内对基板进行成膜处理的气体供给装置、以及气体供给装置所使用的阀装置。背景技术作为对基板、即半导体晶片(以下称为“晶片”)进行成膜的手法，已知向晶片交替多次地供给原料气体、和与原料气体反应的反应气体，使反应生成物的分子层在晶片的表面堆积而得到薄膜的ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)法。在ALD法中，需要在原料气体的供给与反应气体的供给之间用于对处理气氛进行置换的置换气体的供给，为了获得高处理能力，迅速地进行气氛置换是非常重要的...
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