技术编号:11111383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半桥驱动电路,特别涉及一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路。背景技术功率场效应晶体管(MOSFET)作为大功率开关及高速开关器件,在电力电子技术中得到广泛应用,特别是电机控制领域。在电机驱动应用中,功率MOSFET管以半桥电路形式出现,分为上、下半桥。其中上半桥功率管漏极接母线电源,源极与下半桥的漏极相连,下半桥的源极接功率地,上下半桥功率管的公共端作为半桥的输出端。功率管的开关由其栅极与源极间的电压确定,而开关动作在逻辑上由微控制器输出的脉宽调制(PWM)信号确定。栅源极的电压本质...
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