技术编号:11117607
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及反应设备领域,尤其涉及一种大容量的反应器。背景技术四氟化碳是目前微电子工业中重要的等离子体蚀刻气体,广泛用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻,在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、低温制冷、气体绝缘、泄漏检测剂、印刷电路生产中的去污剂、润滑剂及制动液等方面也有大量应用。四氟化碳合成方法很多,包括氢氟化碳与氟气、氯氟化碳在催化剂存在下与氟化氢以及氟气与碳源直接接触反应制备四氟化碳等。其中,目前成熟工艺采用氢氟化碳、氯氟化碳做碳源制备四氟化碳,原材料价格昂贵,易...
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