技术编号：11122466
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电阻元件的制造方法、压力传感器元件的制造方法、压力传感器元件、压力传感器、高度计、电子设备以及移动体。背景技术在微机电系统(MEMS)(特别是传感器装置)中，广泛采用通过向单晶硅掺杂杂质从而形成电阻元件(压电电阻元件)的方式。作为这种电阻元件的制造方法，例如已知有如专利文献1所公开的那样，通过将硼加速至1MeV的能量并打入到n型硅基板中，从而于在基板表面上残留有n型层的状态下，形成p型的电阻层(电阻区域)的方法。通过利用这种方法而将电阻层埋入所形成的电阻元件，能够降低外部电场的影响。然...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。