技术编号：11124529
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及制备方法。背景技术随着电子信息技术的迅猛发展，电子产品更新换代速度越来越快，以数码相机、平板电视、笔记本电脑等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长，带动了电容器产业增长。开发具有介电综合性能良好，又同时具有较高击穿场强、储能密度和可加工性能的介电材料，特别是高分子基纳米复合材料成为研究的热点。PI是综合性能最佳的有机高分子材料之一，耐高温达400℃以上，长期使用温度范围-200～300℃，无明显熔点，具有高力学性能、高绝缘性能、低介...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。