技术编号:11126693
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制备金属、半导体、绝缘体等多种材料的磁控溅镀膜技术,特别是涉及一种提高磁控溅射镀膜均匀性及稳定性的靶材基座。背景技术磁控溅射是物理气相沉积的一种,用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料的膜。在工作中由于磁场对等离子体的影响,导致靶材会被刻蚀消耗形成一个圆环,仅占表面积的十分之一左右,利用率极低,在实际的镀膜过程中,沉积速率与溅射功率、溅射时间、靶材到基片的距离(靶基距)、工作气压等影响着镀膜质量与厚度。在磁控溅射镀膜中,由于随着使用次数的增加,靶材消耗,靶基距变大,当其它参数不变时,所...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。