技术编号:11126837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。:本发明涉及半导体材料领域,特别是涉及一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及装置。背景技术:单晶硅是用于太阳能发电的重要材料,随着晶硅电池技术的发展,对单晶硅轴向电阻率的均匀性要求提高(轴向电阻率范围要求变窄)。单晶硅中电阻率大小与进入单晶硅中掺杂元素的量有关,掺杂元素量越多则电阻率越低。直拉工艺中常规的掺杂方式为:在装料时直接将掺杂元素装入坩埚中,随硅料一起熔化,熔入硅熔体,其缺点是:三五主族掺杂元素在固相硅中的溶解度小于在液相硅中的溶解度,即在硅中的分凝系数小于1,在拉晶过程中就会出现部...
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