技术编号:11130356
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氢气退火炉,尤其涉及一种氢气退火炉废气处理系统及方法。背景技术半导体技术的发展对半导体器件的品质要求越来越高,近十年来研究发现的硅中微小的原生缺陷如晶体的原生颗粒缺陷(COP)、激光散射层析缺陷(LSTD)等,都与硅中的氧有关。提升硅片质量的关键是使制作器件的硅表层中形成低氧区,以减少晶格缺陷。途径之一就是采用氢气退火工艺,在氢气中进行高温退火,通过氢促进氧的外扩散并与氧反应将氧消耗掉,以改善硅片质量。研究表明,氢气退火能降低硅片中氧化层错密度约一个数量级,对于减少硅片COP、LSTD...
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