技术编号:11130539
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制造装备领域,尤其涉及一种测量通孔硅形貌的装置与方法。背景技术随着半导体技术的发展,减小器件的尺寸已经变得越来越困难。一个克服这些困难的的途径是将多种半导体器件(芯片)在垂直方向上进行集成。这一途径将允许在一个应用单元上集成大量的器件,同时也允许在一个系统上集成多种具有不同功能的芯片(例如传感、处理器和存储器),从而实现更好的功能性能。当前迅速发展的一种垂直集成技术是基于通孔硅(TSV)的集成技术。相比与其它技术,TSV是一种高性能的技术。这是因为TSV的密度可以做的非常大...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。