技术编号:11132095
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种IGBT模块损耗测量方法,尤其是涉及一种现场测量变流器IGBT模块损耗的方法。背景技术IGBT模块作为变流器系统的重要组成部分,广泛应用于新能源发电,电动汽车,轨道交通等新兴领域中。随着电力电子技术的发展,IGBT正朝着高频化,大功率化以及高集成化方向发展,这使得业界对IGBT模块的损耗特性越来越关注。IGBT模块损耗对系统性能(如效率与器件发热)有重要影响,此外较高的温度会加速IGBT模块的老化,降低系统的可靠性。准确获得IGBT模块的损耗数据,对于变流器系统的结构设计,运行效率...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。