技术编号：11132180
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光学领域和微纳系统领域，具体为基于CPT效应的端面耦合纳米光波导双光路芯片级磁强计。背景技术MEMS技术的进步，带动了微制造行业的发展，基于CPT效应的芯片磁强计由于不需要千兆赫兹量级的本地振荡器，相比于传统原子磁强计，在体积上缩小了数个数量级，功耗以及性能在很大程度上也得到了改善，并扩展了其应用范围。比如，航空勘测、空间应用，便宜的磁强计阵列可以用于井下勘测、遥感以及生物磁应用。从国外的研究成果可以看出，目前芯片磁强计的研制性能参数基本满足部分应用需求，已研制出商用芯片磁强计产品，并...
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