技术编号:11136073
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器可测性设计(DFT)设计领域,更具体地说,本发明涉及一种适用于各类周期性测试算法的存储器内建自测试电路。背景技术SOC芯片中各类存储器的可测性设计是一项关键设计工作,实现该功能的MBIST(存储器内建自测试,MemoryBuilt-InSelfTest)模块是现代SOC芯片的重要模块,对降低测试成本、提高对存储器失效问题的分析能力起着关键作用。对于不同的存储器类型或不同测试需求,MBIST会采用不同的测试算法。对于通常的存储器测试流程,常用到的测试算法有:All0/All1、Ch...
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