技术编号：11136411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体领域，更具体地涉及用于制造半导体器件的方法。背景技术本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，并且更具体地涉及一种根据finFET的鳍高度来调整半导体器件的功耗的方法。用于超大规模集成(ULSI)电路的主要半导体技术是平面型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术。为了节能，按比例缩小平面型晶体管的栅极长度和宽度。因为减小了平面型晶体管的栅极长度，所以平面型晶体管可面临一种问题：栅极大致不能控制沟道的通/断状态。由于具有短沟道长度的晶体管导致栅极控制的降低的现象被称为...
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