技术编号：11136412
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种薄膜晶体管的制作方法【技术领域】本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管的制作方法。【背景技术】目前设计的非晶硅TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystaldisplays，薄膜晶体管-液晶显示器)的各类产品，一般采用背沟道刻蚀技术。现有技术的薄膜晶体管，其制作方法通常包括:在衬底基板上形成栅极的图形，接着形成栅极绝缘层，接着在栅极绝缘层上依次形成半导体有源层，源漏电极层和光刻胶层，然后对光刻胶层进行曝光及显影；显影后，形成光刻胶保留区、光刻胶半保留...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。