技术编号:11136442
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,尤其是一种金属薄膜的检测方法。背景技术在半导体工艺中,通过金属布线实现器件之间的连接,实现电信号的传递。具体而言,需要通过沉积工艺或者溅射工艺形成金属薄膜,随后刻印图形以形成互连金属线以及填充通孔。随着半导体器件的高度集成化及高性能化的进展,对金属薄膜的规范性也提出了越来越高的要求,包括金属薄膜的类型、尺寸准确度,以及所述金属薄膜与晶圆之间的对准精度。例如,如果采用错误的金属类型形成薄膜,将影响导电速率,甚至导致器件失效。如果金属薄膜的尺寸大于预设规格,沉积在晶圆边缘位...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。