技术编号:11136480
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术以及半导体制造领域,具体而言,本发明涉及绝缘体上半导体结构以及制备方法。背景技术随着半导体技术的发展,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸不断缩小,其工作速度也不断提高。然而,基于“摩尔定律”(Moore’slaw)的硅集成电路已快速发展数十年,对于基于Si材料本身而言,目前的MOSFET器件已经接近于物理与技术的双重极限。因而,为了进一步提升MOSFET器件的性能,本领域技术人员提出了各种提升MOSFET器件性能的方法。例如,将III-V族砷化物半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。